拓荆科技拟斥资超 17 亿元建设高端半导体设备产业化基地 加码产能布局赋能半导体产业链国产化

    9 月 12 日，科创板上市公司拓荆科技（证券代码：688072）发布 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金使用可行性分析报告。公司拟合计募集不超过 46 亿元资金，其中 15 亿元将专项用于 “高端半导体设备产业化基地建设项目”，叠加首次公开发行募集资金已投入的 2.68 亿元，该基地总投资将达 17.68 亿元，旨在打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备生产基地，缓解产能瓶颈，助力我国半导体设备国产化替代进程。

    项目落地沈阳浑南：聚焦薄膜沉积设备产能升级

    据公告披露，“高端半导体设备产业化基地建设项目” 选址于辽宁省沈阳市浑南区，将新建生产洁净间、立体库房、测试实验室等核心设施，并引入先进生产配套软硬件。项目核心目标是大幅提升拓荆科技在高端半导体设备领域的产能，重点支撑 PECVD（等离子体增强化学气相沉积设备）、SACVD（亚常压化学气相沉积设备）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积设备）等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。

    值得关注的是，该项目并非全新启动 —— 此前拓荆科技已计划以 11 亿元总投资推进该基地建设，其中 2.68 亿元来自首次公开发行募集资金。基于下游市场需求激增及公司业务发展实际需要，公司决定将项目总投资提升至 17.68 亿元，原拟自筹的 8.32 亿元（截至公告日尚未投入）调整为由本次募集资金覆盖，进一步加大对产能建设的投入力度。

    截至目前，公司已取得项目用地的不动产权证书（编号：辽 (2024) 沈阳市不动产权第 0293529 号、辽 (2024) 沈阳市不动产权第 0293532 号），并签订总包施工合同，投资项目备案、环评等程序正在有序办理中，为项目顺利推进奠定合规基础。

    三重必要性凸显：响应政策、承接需求、强化优势

    在全球半导体产业格局调整与国内 “自主可控” 战略推动下，该产业化基地项目的实施具有明确且迫切的现实意义，主要体现在三方面：

    1. 响应国家战略，破解产业链安全隐患

    当前我国集成电路领域高端半导体设备自给率较低，海外龙头企业凭借技术沉淀与布局优势占据主导地位，在全球贸易摩擦背景下，国内半导体产业链安全面临挑战。国家近年密集出台鼓励政策，推动半导体设备产业高质量发展。作为国内半导体薄膜沉积设备领域的领军企业，拓荆科技建设该基地，将形成行业正面示范效应，助力提升我国高端半导体设备国产化率，增强产业链韧性。

    2. 承接市场红利，缓解产能紧张压力

    受益于人工智能（AI）、高性能计算等新兴领域需求拉动，全球晶圆厂持续加大资本开支、扩充产能，直接带动高端半导体设备需求激增。财务数据显示，2022-2024 年拓荆科技营业收入从 17.06 亿元增至 41.03 亿元，年复合增长率达 55.08%，业务规模快速扩张的同时，产能利用率已处于较高水平。随着下游订单持续增长与芯片工艺迭代，现有产能已难以满足未来需求，基地建成后将有效缓解产能瓶颈，支撑公司可持续增长。

    3. 聚焦核心领域，巩固技术竞争壁垒

    薄膜沉积设备是晶圆制造三大核心设备之一，也是拓荆科技的核心优势业务。目前公司已完成 PECVD、ALD、SACVD 等多系列薄膜设备研发并实现量产，多个新产品已进入客户工艺验证阶段。本次基地建设将针对高端工艺需求扩产，并通过智能化设施提升生产效率，更好满足市场对高性能薄膜沉积设备的需求，进一步巩固公司在细分领域的核心竞争力。

    三大可行性支撑：市场、技术、客户全方位保障

    对于项目落地能力，拓荆科技从市场空间、生产经验、客户资源三方面提供了明确保障，确保项目 “能落地、见效益”：

    1. 广阔市场空间为产能释放 “托底”

    据国际半导体产业协会（SEMI）预测，全球 300mm 晶圆厂设备投资 2025 年将增长 20% 至 1165 亿美元，2026 年再增 12% 至 1305 亿美元；中国大陆市场 2025-2027 年每年设备投资规模将保持在 300 亿美元以上，持续引领全球。作为半导体设备的重要细分领域，薄膜沉积设备全球销售额占比约 22%，叠加芯片工艺迭代带来的设备需求升级，为基地产能消化提供充足市场空间。

    2. 成熟生产经验为项目建设 “护航”

    作为国内较早布局薄膜沉积设备的厂商，拓荆科技已积累丰富的规模化生产经验：在技术端，公司持续推进 PECVD 工艺迭代，拓展 ALD、HDPCVD 等产品矩阵，覆盖 100 余种高端工艺应用；在管理端，建立了生产过程、质量状态、资源情况的实时监控体系，实现生产效率与质量双提升。成熟的技术工艺与管理体系，将确保基地快速实现规模化、智能化生产。

    3. 优质客户资源为产品销售 “铺路”

    目前拓荆科技已与国内主流晶圆厂建立稳定合作关系，设备进入超过 70 条生产线，且在客户端产线运行稳定性表现优异。针对客户定制化需求，公司具备快速响应能力，赢得广泛认可。良好的客户基础将加速基地新增产能的产品验证与销售，降低市场风险。

    5 年建设期推进产能落地 赋能公司长期发展

    根据规划，该产业化基地建设期为 5 年，自 2024 年起已借助首次公开发行募集资金启动建设，后续将按 “土地购置 — 工程建设 — 软硬件购置 — 生产线试运行 — 产线投产” 的节奏逐步推进。从投资结构看，项目 17.68 亿元总投资中，工程建设费用占比 91.41%（含场地建造、软硬件购置等），基本预备费与铺底流动资金分别占 1.83%、6.76%，资金分配聚焦核心生产设施建设，保障项目投产后快速形成有效产能。

    拓荆科技表示，本次高端半导体设备产业化基地建设，是公司响应国家战略、承接市场需求的关键布局。项目建成后，将显著提升公司核心产品产能，强化技术与市场优势，进一步巩固行业地位；同时，也将为我国半导体设备国产化替代提供 “产能支撑”，助力产业链自主可控水平提升。公司董事会强调，项目符合公司战略与全体股东利益，具备必要性与可行性，将为公司长期盈利能力与可持续发展注入强劲动力。