晶盛机电：碳化硅12英寸技术突破落地 半导体装备未完成订单超 7亿元

    近日，浙江晶盛机电股份有限公司（证券代码：300316，证券简称：晶盛机电）举办投资者关系活动，接待了易方达基金、摩根基金、华夏久盈资产、富国基金等超 120 家知名机构投资者代表。活动中，公司投资者关系负责人林婷婷详细披露了碳化硅衬底、半导体装备、光伏装备等核心业务的最新进展，展现出在半导体材料与装备国产化领域的强劲竞争力。

    碳化硅衬底：12 英寸技术突破 + 全球化产能布局，国际订单落地

    作为第三代半导体核心材料，碳化硅衬底业务成为本次交流的焦点。据披露，晶盛机电已实现6-8 英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产产品核心参数指标达到行业一流水平，同时成功突破 12 英寸导电型碳化硅单晶生长技术，顺利长出 12 英寸碳化硅晶体，标志着公司在大尺寸碳化硅材料领域跻身行业前列。

    产能布局方面，公司正加速构建全球化供应体系：在上虞基地布局年产 30 万片碳化硅衬底项目，满足国内市场需求；面向全球市场，在马来西亚槟城投建 8 英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化海外供应能力；此外，银川基地的 8 英寸碳化硅衬底片配套晶体项目也在推进中，持续夯实规模优势。

    值得关注的是，依托晶体生长及加工设备的高度自给能力，晶盛机电实现了 “设备 - 工艺” 深度融合，在技术调整、产能投放及成本控制上具备显著竞争优势。目前，公司碳化硅衬底已启动全球客户验证，送样范围大幅扩大，验证进展顺利，且成功获取部分国际客户批量订单，全球化市场突破成效初显。

    对于碳化硅衬底的应用前景，公司指出，导电型碳化硅衬底因高击穿场强、高导热率等特性，在新能源汽车功率器件、储能变流器等领域应用潜力巨大；半绝缘型碳化硅则凭借低载流子浓度、优异微波损耗特性，成为 5G/6G 基站射频前端器件核心衬底，同时在 AR 眼镜、高端散热等终端领域具备不可替代性。

    半导体装备：未完成订单超 37 亿元，多品类实现国产替代

    在半导体装备业务领域，晶盛机电受益于行业国产化进程加速，呈现 “订单饱满 + 技术突破” 双利好态势。数据显示，截至 2025 年 6 月 30 日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同金额超37 亿元（含税） ，为后续业绩增长提供坚实支撑。

    技术突破方面，公司在集成电路装备与化合物半导体装备领域多点开花：

    集成电路装备：自主研发的 12 英寸常压硅外延设备已顺利交付国内头部客户，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度等关键指标达到国际先进水平；12 英寸干进干出边抛机、12 英寸双面减薄机等新产品正推进客户验证；12 英寸硅减压外延生长设备实现销售出货，采用单温区 / 多温区闭环控温、多真空区间精准控压技术，结合独特腔体设计，可满足先进制程对膜厚均匀性、掺杂均匀性的高标准要求；此外，公司开发的先进封装用超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术空白，成功实现国产替代。

    化合物半导体装备：紧抓碳化硅产业链向 8 英寸切换趋势，重点推广 8 英寸碳化硅外延设备及 6-8 英寸碳化硅减薄设备，同时推进碳化硅氧化炉、激活炉、离子注入设备的客户验证，为规模化量产奠定基础。目前，公司碳化硅设备客户已覆盖瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业，市场认可度持续提升。