拓荆科技披露募集说明书：拟募资不超 46 亿元 加码高端半导体设备产能与前沿研发

    12月5日，拓荆科技股份有限公司（股票代码：688072，简称 “拓荆科技”）披露 2025 年度向特定对象发行 A 股股票募集说明书（申报稿），公司拟向特定对象发行 A 股股票，募集资金总额不超过 46 亿元，用于高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心建设及补充流动资金，旨在强化核心业务竞争力，把握半导体行业发展机遇。

    公司概况与业务布局

    拓荆科技主营业务为高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务，核心产品涵盖 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备，以及三维集成领域先进键合设备及配套量检测设备。产品广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，已进入超过 70 条芯片制造厂生产线，累计出货反应腔超 3000 个，客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过 90%，达到国际主流水准。

    截至 2025 年 9 月 30 日，公司总股本为 281,163,930 股，无控股股东及实际控制人，前十大股东持股合计 50.85%，其中国家集成电路产业投资基金股份有限公司持股 19.57%，为第一大股东。

    本次发行核心方案

    发行数量：本次发行股票数量不超过 84,349,179 股（含本数），不超过发行前公司总股本的 30%，最终发行数量将根据募集资金总额及发行价格确定。

    发行对象：不超过 35 名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者等，所有发行对象以人民币现金方式认购。

    定价机制：定价基准日为发行期首日，发行价格不低于定价基准日前二十个交易日公司股票交易均价的 80%；若期间发生除权除息事项，发行价格将相应调整。

    限售安排：发行对象认购的股票自发行结束之日起六个月内不得转让，衍生取得的股票亦需遵守该锁定安排。

    本次募集资金净额将聚焦三大方向

    本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币 460,000.00 万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入三大项目。其中，高端半导体设备产业化基地建设项目与前沿技术研发中心建设项目作为本次募资的两大核心方向，分别聚焦产能扩张与技术突破，共同构筑公司未来发展的坚实根基。

    一、高端半导体设备产业化基地建设项目：锚定产能缺口，打造智能制造高地

    该项目并非全新布局，而是对公司IPO募投项目的战略性追加投资，充分体现了公司对市场需求的精准判断与产能规划的连续性。项目拟选址辽宁省沈阳市浑南区，计划总投资由原11亿元增至17.68亿元，其中本次定增募集资金将投入15亿元，剩余部分由公司自筹解决。目前，公司已顺利取得项目土地使用权证、用地规划许可证等关键资质，签订了总包施工合同并推进政府备案手续，为项目快速落地奠定了坚实基础。

    从建设内容来看，项目将构建集生产、仓储、测试于一体的规模化产业基地，核心包括建设高标准生产洁净间、智能化立体库房及专业测试实验室，同时引入国际先进的生产配套软硬件系统。基地将重点提升PECVD、SACVD等核心薄膜沉积设备的量产能力，通过数字化管理系统实现生产全流程的精准管控，大幅提升生产效率与产品质量稳定性。这种智能化改造不仅能降低人为操作误差，还能实现生产数据的实时追溯与分析，为后续产能优化提供数据支撑。

    项目的实施具有强烈的现实必要性。近年来，受益于AI、汽车电子等下游领域需求爆发，公司业务规模实现跨越式增长，2022至2024年营业收入年复合增长率达55.08%，现有产能已处于高负荷运转状态。随着下游芯片制造厂持续扩产，设备订单量不断攀升，产能缺口成为制约公司发展的关键瓶颈。基地建成后，将有效释放产能压力，实现核心设备的规模化供应，确保及时响应客户需求。

    从长远价值来看，该项目将进一步巩固公司在国内薄膜沉积设备领域的领先地位。项目投产后，公司不仅能提升市场份额，还能通过规模效应降低单位生产成本，增强产品价格竞争力。同时，本地化的产业化基地将强化与东北区域供应链的协同合作，缩短交货周期，为公司深度绑定主流芯片制造厂客户提供有力保障，助力半导体设备国产化进程加速推进。

    二、前沿技术研发中心建设项目：聚焦核心壁垒，抢占行业技术制高点

    作为技术密集型行业的核心企业，拓荆科技始终将研发创新置于战略首位，前沿技术研发中心建设项目正是这一战略的具体落地。项目由公司全资子公司拓荆创益及拓荆上海作为实施主体，总投资20.92亿元，拟使用本次募集资金20亿元，聚焦薄膜沉积设备领域的前沿技术研发与产品迭代。

    研发方向精准对标行业前沿需求，形成多层次、立体化的研发布局。项目将重点围绕PECVD、ALD、沟槽填充CVD等关键工艺设备展开技术攻坚，开发适配先进制程的新一代设备产品。同时，针对半导体设备智能化趋势，研发新一代半导体智能化控制系统及优化控制软件架构，通过引入智能算法、优化数据处理流程等方式，提升设备的自动化水平与运行稳定性。此外，项目还将持续推进现有产品的性能优化，确保公司产品在工艺精度、运行效率等方面始终保持国际先进水平。

    强大的研发团队为项目实施提供坚实保障。截至2025年9月30日，公司研发人员达678人，占员工总数的40.72%，其中博士59人、硕士416人，形成了一支高学历、专业化的研发队伍。项目将进一步整合内部研发资源，搭建更为完善的研发平台，配备国际一流的研发设备与测试仪器，为研发人员提供良好的创新环境。同时，项目将加强与高校、科研机构的技术合作，构建产学研协同创新体系，加速技术成果转化。

    该项目的实施对公司及行业发展均具有重大意义。从公司层面看，持续的研发投入将进一步提升核心技术竞争力，巩固公司在国内薄膜沉积设备领域的领先地位，为后续市场拓展提供技术支撑。从行业层面看，项目研发的前沿技术与产品将打破国外厂商的技术垄断，助力提升国内半导体供应链的安全自主水平，为半导体产业国产化转型提供关键设备保障。截至目前，公司已累计申请专利1918项（含PCT），获得授权专利646项，项目的实施将进一步扩大公司的技术专利储备，构筑坚实的技术壁垒。

    三、补充流动资金：

    拟使用 11 亿元募集资金补充流动资金，缓解公司业务扩张带来的营运资金压力，优化财务结构，支撑研发、生产及市场拓展等日常经营活动。

    公司经营与研发实力

    经营业绩方面，2022 年至 2024 年，公司营业收入分别为 17.06 亿元、27.05 亿元、41.03 亿元，年复合增长率达 55.08%，呈现快速增长态势。研发投入持续加码，同期研发费用分别为 3.79 亿元、5.76 亿元、7.56 亿元，年复合增长率 41.23%。

    截至 2025 年 9 月 30 日，公司研发人员达 678 人，占员工总数的 40.72%，其中博士 59 人、硕士 416 人；累计申请专利 1918 项（含 PCT），获得授权专利 646 项，其中发明专利 324 项，核心技术达到国际先进水平。

    行业机遇与竞争优势

    半导体设备行业作为半导体产业的核心支撑，受益于 AI、汽车电子等新兴领域需求爆发，全球市场规模持续扩大。2025 年全球半导体设备销售额预计达 1255 亿美元，中国大陆为最大单一市场，2024 年销售额 495.5 亿美元，占比 42.30%。薄膜沉积设备作为芯片制造三大核心设备之一，2025 年全球市场规模约 244 亿美元，中国大陆市场超 100 亿美元，发展空间广阔。

    拓荆科技凭借 “薄膜沉积 + 三维集成” 的产品布局、自主核心技术、深度绑定的客户资源（覆盖主流芯片制造厂）、稳定的供应链体系及专业人才团队，在国内半导体设备行业占据领先地位，具备较强的市场竞争力。

    风险提示与审批进展

    公司提示，本次发行存在宏观环境及行业波动、市场竞争、发出商品跌价、应收账款回收、技术研发不及预期等风险，投资者需谨慎决策。

    审批方面，本次发行已通过公司董事会及股东大会审议，尚需上海证券交易所审核通过及中国证券监督管理委员会注册后方可实施。

    本次募资将助力拓荆科技扩大产能规模、强化研发创新能力、优化资金结构，进一步巩固行业地位，为半导体产业国产化提供更有力的设备支撑。