中联发展控股拟 45-90 亿港元收购龙腾半导体最多 100% 股权 拓展功率半导体业务

    香港联交所上市企业中联发展控股集团有限公司（股份代号：264，下称 “中联发展”）于 2025 年 11 月 21 日自愿刊发公告，宣布公司与龙腾半导体股份有限公司（下称 “目标公司”）单一最大股东及董事长徐西昌签订不具法律约束力的谅解备忘录，拟收购龙腾半导体最多 100% 股权，其中包括徐西昌直接持有的 24.81% 股权，徐西昌已同意沟通促成其他股东参与此次出售。

    交易核心条款明确 代价方式灵活

    根据公告披露，此次建议交易的代价金额预期最高介于 45 亿港元至 90 亿港元之间，定价主要参考目标公司最新融资估值，最终金额将由双方协商确定并载于正式协议。支付方式方面，中联发展拟采用现金支付、发行公司新股份（代价股份），或现金与股份结合的混合方式结清款项。

    备忘录同时约定，中联发展有权对龙腾半导体及其附属公司的业务、运营、资产、财务及法律等情况进行全面尽职审查。排他期为备忘录签署之日起 3 个月，经双方书面协议可延长。值得注意的是，除排他期及保密条款外，该备忘录不构成双方任何法律责任约束。

    目标公司为功率半导体龙头 具备多重资质优势

    公告显示，龙腾半导体是国内领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商，不仅是陕西省半导体及集成电路重点产业链链主企业，还获评国家工业和信息化部 “专精特新” 小巨人企业，具备研发、生产及销售一体化的功率半导体全产业链布局。龙腾半导体曾于2022年初尝试在科创板上市，但申请被终止。

    作为全球最大的功率半导体消费市场，中国占据全球近半数市场份额，但中高端产品国产化率相对较低，为相关企业提供了广阔发展空间。

    龙腾半导体主导制定‌超结MOSFET‌国家行业标准，拥有388项知识产权（含183项发明专利）。建有8英寸晶圆产线，产品覆盖超结MOSFET/‌IGBT/‌SiC器件等全系列。‌‌公司已形成高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及模块、屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET、中低压沟槽(Trench) MOSFET、高压平面MOSFET、SICJBS&MOSFET等7大产品系列，广泛应用于汽车电子、新能源发电、储能、工业及消费电子（LED照明驱动、电源适配器、TV板卡、电池管理系统等）领域。

    契合发展战略 中联发展拓展业务边界

    中联发展目前核心业务涵盖皮革制品制造及分销、时装鞋履及皮革配饰零售、工业大麻种植及大麻织物产品生产，以及汽车服务提供四大板块。公司董事会表示，一直积极寻求业务扩展机会，而龙腾半导体拥有兼具产业经验与资本视野的核心团队，此次收购若顺利落地，将助力中联发展进一步拓展业务范围，切入高潜力的功率半导体赛道，符合公司长远发展战略。

    董事会认为，此次建议交易条款公平合理，符合公司及全体股东的整体利益。不过公告也提示，由于双方尚未签署具法律约束力的正式协议，磋商仍在进行中，建议交易未必一定落实。中联发展提醒公司股东及投资者在买卖公司证券时务必审慎行事，后续若正式协议签署、备忘录终止或交易出现重大进展，公司将依照香港联交所上市规则及相关法规及时刊发公告。

    据悉，中联发展当前执行董事包括赵靖飞、萧妙文 MH 等八人，独立非执行董事为贾丽欣、陈梦思等四人，本次交易由董事会统筹推进。