先导集团旗下先为科技首台 GaN MOCVD 外延设备正式发货

    近日，无锡先为科技有限公司宣布，其首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。这一成果标志着先为科技在化合物半导体外延设备领域取得了重大突破，也为国内半导体产业的自主发展注入了新的动力。​

    先为科技成立于 2020 年 12 月 25 日，是先导集团在半导体产业布局的关键企业。公司专注于化合物半导体外延设备的研发、制造与销售，依托先导集团在高端装备制造领域的深厚积累，致力于为全球客户提供高端化合物半导体外延设备与服务。目前，先为科技拥有正向研发且知识产权自主可控的 GaN MOCVD 外延设备、SiC Epi 外延设备，广泛应用于功率芯片、射频芯片、Micro LED 芯片及碳化硅功率芯片的生产制造，各项性能均达到行业领先水平。​

    此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备是先为科技的创新之作，运用了特有的温场和流场设计，能够实现高质量的成膜效果，为功率芯片、射频芯片、Micro LED 芯片的 GaN 外延制造提供坚实保障。该设备不仅在成膜质量上表现出色，还能够大幅提升生产效率，同时有效降低使用成本，为客户提供了优异的 GaN 外延加工解决方案。​

    随着 AI、服务器电源、人形机器人等新兴应用领域的爆发式增长，市场对高性能硅基氮化镓功率芯片的需求激增。GaN MOCVD 外延设备作为化合物半导体产业链的核心装备，长期被国外企业垄断。先为科技国产设备的成功推出，为国内乃至全球客户提供了新的设备选择，增强了化合物半导体产业链的韧性和安全性，推动了国内化合物半导体产业向更健康、更自主的方向发展。​

    先为科技表示，未来将继续加大研发投入，不断提升技术创新能力，致力于成为全球领先的化合物半导体外延设备供应商。公司的发展愿景是打破国外技术壁垒，实现高端半导体设备的完全国产化替代，助力国内半导体产业构建自主可控、安全高效的产业链体系，以创新驱动行业变革，为全球半导体产业发展贡献中国智慧与力量。