氧化物TFT技术受关注 或将用于3D电视面板

    据报道，近来氧化物TFT制程技术逐渐受到关注，研究机构DIGITIMES Research指出，韩国面板大厂三星以及日本夏普都在加快氧化物TFT量产进程，预计2011年下半年到2012年，三星将会将氧化物TFT技术运用于3D电视面板，夏普则优先在平板装置与智能手机面板上运用氧化物TFT技术。

    氧化物TFT即Oxide TFT技术，主要是将原本应用于a-Si TFT的硅材料部分置换成a-IGZO（amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 铟镓锌氧化物）来形成TFT，其优势在于光罩制程数少，成本较低温多晶硅LTPS制程低，并且TFT基板表面平整度佳，适用于5代线以上的大尺寸基板生产。

    氧化物TFT技术最早由日本细野秀雄教授于1995年首次发表，2004年则由细野秀雄教授带领的日本东京大学研究团队发表了采用IGZO薄膜制作的TFT元件。随后，南韩、日本与台湾相关厂商也自2006年起陆续发表采氧化物半导体的试制品。

    DIGITIMES Research指出，与非晶硅（a-Si）TFT相较，Oxide TFT不仅电子移动度较高，并且在TFT一致性、制造成本与制程温度，亦均与非晶硅TFT同水准，因此，很有机会成为新世代TFT制程技术。

    从全球各大面板厂在氧化物TFT技术发展动向来看，氧化物TFT制程技术正逐渐在许多应用范畴扩散，包括AMOLED、3D面板、可挠式显示器、透明显示器、超大尺寸电视／数位资讯显示器等应用领域。