Saphlux成功开发出2微米全彩Micro LED阵列，取得了AR显示领域重要突破

    2021年10月，来自耶鲁大学的赛富电子（Saphlux）科技有限公司，成功开发出子像素尺寸为2微米的全彩Micro LED阵列，取得了AR显示领域的一次重要突破。

2微米R-G-B NPQD Micro LED阵列

    10微米以下的小尺寸Micro LED存在巨量转移难度大的问题。因此，目前大部分AR屏幕厂商皆采用LED晶圆键合（wafer bonding）CMOS的方式制备单色屏幕。如何实现这个尺寸下的全彩转换成为业界的一大挑战。

    但是，目前传统的量子点打印或量子点光刻的色彩转换方式由于其打印线宽宽、转换效率低、胶层厚度大、保护性差等问题，难以满足像素尺寸小于5微米的全彩AR显示要求。

    据介绍，赛富电子团队利用其独有的NPQD技术，创造性地使用纳米孔（Nanopores）氮化镓结构作为天然的量子点载体，并通过选择性注入QD技术获得了量子点的晶圆级原位封装，实现了小尺寸全彩转换技术的突破。

NPQD?全彩转换技术

    此外，传统由铝铟镓磷(AlInGaP) 磊晶制成的红光Micro LED受限于缺陷密度大以及取光难等问题，其光效会随着芯片尺寸的微缩而急剧下降。

    赛富电子介绍，其NPQD?技术采用氮化镓结合红光量子点进行色彩转换，规避了这一材料限制。同时，经过优化后的纳米孔氮化镓具有极强的散射效应，能够将有效光径提高8倍，出光面积提高40倍，在5微米的量子点厚度内实现99.99%的光转换效率。

NPQD? vs AlInGap 效率对比

    据悉，除了全彩AR Micro LED阵列这一里程碑式的成果外，赛富电子还已量产应用于小间距屏的NPQD? R1和T1系列Micro LED芯片，并且产品已经通过数家行业头部企业的测试、点亮屏幕，进入了交付阶段。

    对此，赛富电子表示：“作为目前业界唯 一一款批量在售的量子点Micro LED芯片产品，它证明了NPQD? Micro LED芯片的优越性，并标志着这一技术已从实验室研发成功走向商业化。”

NPQD? Micro LED小间距屏