中微公司2024年财报：营收90.65亿元，净利16.16亿元

    4月18日，中微半导体设备（上海）股份有限公司发布2024年年度报告。公司2024年营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，同比增长约44.73%。其中，2024年刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约54.72%；MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.03%，LPCVD设备2024年实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元。

    2024年归属于母公司所有者的净利润约16.16亿元，较上年同期减少9.53%，本期减少的主要原因：（1）2024年营业收入增长44.73%下，毛利较去年增长约9.78亿元。（2）由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长，2024年公司显著加大研发力度，以尽快补齐国产高端半导体设备短板，实现赶超，为持续增长打好基础。2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，2024年研发投入占公司营业收入比例约为27.05%，远高于科创板均值。2024年研发费用14.18亿元，较去年增长约6.01亿元，同比增长约73.59%。（3）2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元，而2024年公司并无该项股权处置收益。

    2024年归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，较上年同期增加16.51%，本期增长的主要原因：由于2024年营业收入增长44.73%，毛利较去年增长约9.78亿元，以及2024年研发费用较去年增长约6.01亿元。

    于报告期末，公司总资产约262.18亿元，较报告期初增加21.80%；归属于母公司的所有者权益约197.37亿元，较报告期初增加10.72%。

    报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。

    公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。

    2024年公司研发投入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平。

    报告期内，公司新增专利申请359项，包括发明专利263项，实用新型专利84项，外观设计专利12项。截至2024年12月，公司已申请2,910项专利，其中发明专利2,424项，占比83.30%；已获授权专利1,781项，其中发明专利1,514项。

    公司CCP刻蚀设备中双反应台Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe，单反应台Primo HD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2024年付运量较2023年增长逾100%。具有动态可调电极间距功能的双反应台Primo SD-RIE 进入先进逻辑生产线验证关键工艺。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Primo HD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的Primo UD-RIE实现规模付运。2024年全年CCP刻蚀设备生产付运超过1200反应台，创历史新高。累计装机量超过4000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率。

    公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机Primo SD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过，正在进行更多的器件功能测试。Primo SD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。该设备采用双反应台平台设计，在满足客户工艺指标的同时可以有效帮助客户降低其相关的生产成本。Primo SD-RIE具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等离子体和活性自由基的浓度分布，公司多项的技术革新能有效应对一体化大马士革刻蚀工艺中的独特要求，在同一刻蚀工艺中有效应对在实现最优沟槽和通孔刻蚀均匀性过程中可能发生的问题，极大拓宽了一体化刻蚀工艺的工艺窗口和工艺能力。

    报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。2024年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1025个反应台，近四年年均增长大于100%。

    报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2024年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。

    公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机Preciomo Udx至国内领先客户开展生产验证。报告期内样机验证顺利，已基本满足客户生产要求。

    随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMO PD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力，预计2025年将付运至客户进行验证。

    同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，报告期内已付运样机至国内领先客户开展生产验证。

    此外，公司也紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围；报告期内，公司启动了应用于红黄光LED的MOCVD设备开发，目前开发较为顺利，实验室初步结果已实现了优良的波长均匀性能。

    公司已开发出六款薄膜沉积产品推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻辑客户进行验证，为进一步积累市场优势打下基础。

    同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，公司开发的ALD氮化钛设备可满足先进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，有利于进一步扩大市场规模。

    中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。

    子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。此外，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。

    为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地主体建设已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设，为今后的发展夯实基础。