读懂MIP：从“贴灯珠”到“芯片级封装”的转变

    然而，很多人常常将MIP与SMD、IMD混为一谈。

    那么，它们到底有什么区别？真正的MIP，又是什么？    

    SMD

    从“贴灯珠”开始的封装时代

    SMD（Surface Mount Device）是LED行业最早的主流封装形式，它的核心特征是：将红、绿、蓝三颗独立的LED正装芯片分别打线封装成灯珠（其中，红光芯片为垂直结构，只需打一根正极引线；蓝/绿芯片为正装结构，正/负极均要打引线），再通过表贴制程，贴装到PCB板上。

    但随着显示间距不断缩小，SMD方案暴露出两大问题：一是像素间距限制：单个灯珠体积较大，难以实现P0.9以下的微间距；第二，光学一致性不足：三颗芯片独立封装，存在微小高度差和光轴偏差，导致显示画面易出现色偏、亮度不均。第三，垂直或正装结构芯片出光面积小（大部分正面区域被焊盘和引线遮挡），发光效率偏低，在相同芯片尺寸下亮度比倒装芯片低。    

    IMD    

    从“单灯珠”到“多像素集成”的过渡阶段

    后来随着间距的微缩化需求，衍生出n合一的IMD技术（Integrated Matrix Device），即将两个或以上的RGB像素集合在一个封装体内，目前以四合一技术应用最为成熟，即将4个像素集合在一个灯珠封装体里。

    IMD兼具了SMD的可维护性与COB的高集成度，是早期小间距显示（P0.9-P0.6）常用方案。但IMD仍保留了“贴灯珠”的本质，封装工序繁多、自动化程度有限；当间距进一步逼近P0.6以下时，封装精度与贴装效率的瓶颈逐渐显现。

    且IMD集成封装形式，在灯珠制程中已确定了模组间距型号，导致模组制程的灵活性小，不适用于多型号、多方案制造。    

    MIP    

    从“贴灯珠”到“芯片级封装”的转变

    MIP，全称Mini/Micro LED in Package，核心理念是：先把Mini/Micro LED芯片倒装到一个封装体内，形成独立、稳定的发光单元，再进行模组级的集成或贴装。

    与传统的SMD、IMD最大的不同在于，MIP的核心从“灯珠”转向了“芯片封装体”。

    通俗地说，SMD与IMD是“灯珠贴上去”，而MIP是“芯片封进去”。

    在封装工艺上，MIP采用倒装芯片+固晶焊接的结构，摒弃金线打线工艺，使封装更加紧凑、可靠。

    对于下游模组厂和屏厂而言，MIP既能兼容现有的COB制程设备，又能实现技术升级与产能复用，降低导入门槛的同时，避免因直接采用Micro芯片而造成的供应链成本大幅上升。同时，封装体本身也为芯片提供了额外的结构保护与可靠性保障。    

    因此，MIP不仅是封装工艺的升级，更是连接现有Mini LED产业体系与未来Micro LED显示的关键中间层。

    且鉴于目前Micro LED方案（如COG方案），仍未完全解决巨量转移良率及高成本问题上，通过将Micro LED利用先进封装制程（蓝宝石LLO+巨量转移+RDL），使MIP灯珠尺寸进一步缩小至0202甚至0101，亦可实现COB制程目前难以满足的P0.6及以下间距，实现极小间距模组产品的制造。

    目前，MIP封装可根据芯片尺寸与衬底处理工艺的不同，分为 Mini级MIP 与 Micro级MIP。两者的核心区别在于芯片尺寸大小与是否剥离蓝宝石衬底。    

    Mini级MIP（Mini LED in Package）一般采用尺寸介于100μm至300μm、未剥离蓝宝石衬底的Mini LED倒装芯片，通过固晶封装的形式制成MIP封装体（一般为0404/0606 MIP）。

    其难点主要集中在前段封装工艺——如何高效、稳定地将Mini芯片封入MIP封装体中。由于转移效率和良率将直接影响成本，因此目前Mini级MIP的主要成本仍集中在MIP封装体的环节。

    根据TrendForce的数据分析，0404 MIP显示模组方案中，MIP封装体成本占比高达31%，而PCB与后段固晶封装成本有所下降。

    Micro LED In Package    

    当芯片尺寸缩小至Micro级（小于100μm）时，若直接用于LED显示模组上，将面临电路连接困难、良率低、芯片可靠性差等问题。且芯片尺寸进一步缩小至100μm时，传统带蓝宝石衬底的圆片研磨减薄制程将变成工艺瓶颈，极容易出现研磨裂片问题，导致芯片良率低于50%，难以实现量产。因此需要引入激光剥离蓝宝石衬底工艺（LLO）

    而Micro级MIP ，采用的是剥离蓝宝石衬底的超小尺寸Micro RGB芯片（小于100μm），实现了真正意义上的“芯片级封装”。

    在封装结构上，Micro级MIP沿用倒装芯片+固晶的方案，通过“预封装”方式，将微米级芯片通过先进封装制程（蓝宝石LLO+巨量转移+RDL）整合为结构稳定、尺寸更大的MIP封装体，简化后段制造流程，并解决返修、良率和产线兼容性等痛点。

    而这一技术路径的关键挑战，主要集中在芯片制程的后段工艺——如何高效剥离蓝宝石衬底、以及如何突破Micro芯片巨量转移的技术瓶颈。由于Micro LED芯片本身成本高昂、制程复杂，目前这一技术目前仍处于爬坡阶段，尚未实现大规模普及应用。    

    今年，中麒光电率先推出了应用0303/0202灯珠的Micro MIP显示模组。

    在显示层面，该模组采用剥离蓝宝石衬底的Micro LED芯片，发光源厚度＜10μm，大幅提升了发光效率与稳定性；

    在结构层面，中麒MIP模组采用150×168.75mm标准模组设计，兼容600mm通用箱体，具备更高的装配灵活性，可无缝适配不同应用场景，实现设备更新升级。

    未来，随着Micro LED制程与衬底剥离技术的突破，Micro级MIP将成为推动Micro LED量产落地的关键路径。

    中麒光电将持续深耕MIP技术，推动MIP显示技术产业化，为新一代高端显示提供更具性能与成本竞争力的解决方案。