中微公司推六款半导体设备新品 覆盖多关键工艺加速高端平台化转型

    中微半导体设备 (上海) 股份有限公司（证券代码：688012，简称 “中微公司”）近日发布公告，正式推出六款半导体设备新产品。此次新品覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延三大半导体制造关键工艺领域，不仅展现了公司在核心技术领域的突破实力，更为其加速向高端设备平台化公司转型注入新动能，同时也将为国内半导体设备产业链的升级提供助力。

    新品覆盖两大核心领域，技术优势凸显

    中微公司此次发布的六款新品，聚焦半导体制造中的 “刻蚀” 与 “薄膜沉积” 两大核心环节，每款产品均针对特定应用场景实现技术优化，兼顾性能与生产效率。

    刻蚀设备：攻坚极高深宽比与金属刻蚀痛点

    在刻蚀设备领域，两款新品分别瞄准 “极高深宽比刻蚀” 与 “金属刻蚀” 两大关键需求，为不同节点芯片制造提供解决方案：

    Primo UD-RIE® 极高深宽比等离子体刻蚀机：基于成熟的 Primo HD-RIE® 架构升级而来，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，可提供更高离子轰击能量，满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，同时兼顾精度与效率。该设备还集成多项自主创新技术 —— 动态边缘阻抗调节系统可优化晶圆边缘深孔刻蚀垂直性，提升边缘合格率；上电极多区温控系统改善高功率下的散热，增强设备稳定性；全新温度可切换多区控温静电吸盘与主动控温边缘组件，则能提升抗电弧放电能力与晶圆边缘良率，为先进存储芯片生产提供关键保障。

    Primo Menova™12 寸 ICP 单腔刻蚀设备：专注金属刻蚀领域，擅长金属 Al 线、Al 块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。其优势在于卓越的刻蚀均一性，可实现高速率、高选择比及低底层介质损伤；高效腔体清洁工艺能减少污染、延长设备运行时间；集成的高温水蒸气除胶腔室还可快速清除金属刻蚀后的光刻胶及副产物。此外，主刻蚀腔体与除胶腔体可灵活组合，满足高负荷生产下的效率与稳定性需求。

    薄膜沉积设备：三款 ALD 产品 + 一款外延设备，覆盖多应用场景

    薄膜沉积设备领域的四款新品，包括三款原子层沉积（ALD）产品与一款外延设备，进一步完善了中微公司在薄膜工艺环节的产品矩阵：

    Preforma Uniflash® 金属栅系列 ALD 产品：涵盖 TiN、TiAl、TaN 三大品类，专为先进逻辑与先进存储器件的金属栅应用设计。该系列采用中微独创的双反应台设计，可灵活配置多达五个双反应台反应腔，在满足高真空工艺集成需求的同时，实现业界领先的生产效率。此外，产品搭载多级匀气混气系统、模型算法加热系统及高效流导设计等核心技术，在薄膜均一性、污染物控制能力及生产效率上均达到世界先进水平，可充分满足先进逻辑客户的性能需求。

    PRIMIO Epita® RP 双腔减压外延设备：作为当前市场独有的双腔设计外延减压设备，其反应腔体积为全球最小，且可灵活配置多至 6 个反应腔，能显著降低生产成本与化学品消耗，同时保障高生产效率。设备拥有完全自主知识产权，通过双腔设计、多层独立控制气体分区，以及多径向调节能力的温场温控设计，实现了优秀的流场与温场均匀性。凭借强工艺适应性与兼容性，该设备可覆盖从成熟到先进节点的逻辑、存储、功率器件等多领域外延工艺需求。

    新品注入转型动能，长期利好市场拓展与业绩增长

    随着半导体技术向更先进节点迭代，等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等技术的市场需求持续攀升。中微公司此次集中推出六款新品，不仅进一步丰富了产品布局，更精准契合了客户在先进工艺环节的设备需求。

    公告显示，此次新品发布将为中微公司 “加速向高端设备平台化公司转型” 提供关键支撑 —— 通过覆盖半导体制造多关键工艺，公司将从单一设备供应商向综合解决方案提供商升级，有助于提升客户粘性与市场竞争力。长期来看，新品落地将对公司半导体设备市场拓展与业绩成长性产生积极影响，同时也将为国内半导体产业链突破高端设备 “卡脖子” 环节提供助力。

    提示市场导入风险，公司将及时披露进展

    需注意的是，此次推出的新产品目前尚处于市场导入初期，存在市场推广与客户开拓不及预期、客户验证失败等风险，可能对公司未来收入及盈利带来不确定性。中微公司在公告中表示，将根据新产品后续推进情况及时履行信息披露义务，敬请广大投资者关注投资风险。

    业内人士指出，此次新品发布是中微公司技术研发实力的集中体现，其后续商业化落地节奏（如客户验证进度、订单转化情况）将成为公司业绩增长的关键变量，同时也将为国内半导体设备行业的技术升级提供重要参考。