国星光电IMD技术：到底有多牛

    从2018年提出四合一灯珠产品，首发IMD-M09T，到2019年6月首发IMD-M07，再到今年3月首发IMD-M05，国星光电独创的IMD技术体制，成功将百英寸LED大屏从全高清时代带入4K超高清时代。

    IMD技术体系，对下游客户的友好性，更成为目前P1.0以下小间距LED屏终端产品快速布局，实现低成本、高品质制造的关键支撑技术，带来了2018年以来p1.0间距以下LED大屏市场的跨越式发展潮流。IMD技术体系已经成为市场上最成熟的mini/micro-led应用产品技术之一。

    IMD技术到底好在哪里呢

    国星IMD-M05采用矩阵式集成封装（IMD）方案，1010的长宽尺寸下集成了12颗全倒装LED，像素间距为0.5mm，采用Flip-Chip芯片薄型化全黑封装，拥有极致对比度和超高亮度。

    通过这个描述，可以看到IMD首先是一种“大尺寸灯珠”封装技术。1010的基础CELL尺寸，几乎保留了终端厂商们传统的表贴式工艺的大部分“既有产出能力和技术规范”，让终端企业用最低的投入和技术风险，分享了mini/micro-led产品的升级红利。——这是极大的下游友好性！

    其次，IMD技术还是一种“像素集成”封装技术。即具有COB技术那种对产品稳定性、可靠性的保护，同时不失去传统灯珠产品，在终端屏上的可检测与可维护性，并具有很高的墨色一致性。这种集成封装带来了更高的视觉效果，推动P1.0以下间距LED屏全面进入“COB”技术为代表的品质时代。

    第三，IMD技术更重要的一点在于，它是真正的mini/micro-led产品。且是最大程度克服了巨量转移、对位、封装难度的“高度可商业化”技术路线。从四合一灯珠，到目前的12合一灯珠，IMD技术并不去直接实现巨量像素的一次性转移成为终端产品，而是采用分两个层次的终端产品制造思路。

    这种思路，规避了“一次性巨量”带来的“数量规模难度”；也更适合传统LED显示产业链建立的封装-终端分层产业体制，最大程度上利用行业现有成熟技术和资源实现了mini/micro-led产品的高水平量产。

    所以，IMD技术几乎是mini/micro-led与COB、表贴三大技术优势的“集合体”。 作为国内较早实现Mini LED批量供货的LED企业，国星光电已推出IMD-M05、IMD-M07、IMD-M09、IMD-F12、IMD-F15等多款产品，实现了主流高端小间距LED产品应用的全覆盖，打造起mini/micro-led市场化应用的庞大生态体系。

    mini/micro-led时代LED显示没有标准答案

    巨量转移不是行业基本路径吗？IMD会不会是过渡性技术？”这是目前对于国星光电IMD技术的最大疑问，也是本文所要讨论的核心问题所在！

    首先，mini/micro-led显示本不是“标准答案”：例如VR用的mini/micro-led、液晶背光用的mini/micro-led、以及100英寸LED大屏用的mini/micro-led技术显然差异巨大！

    比如，液晶背光源市场，85英寸液晶电视所采用的mini/micro-led背光必须具有更高的亮度：因为液晶层处理的是偏振光——这就让背光亮度损失50%；液晶电视的彩色滤光膜是选择性透射——这又让背光源亮度进步损失三分之二。仅仅如此，背光源亮度与最终画面亮度对比就已经有6倍以上的差异，背光亮度有效率只有不足15%。对比而言，85英寸LED显示大屏，其亮度利用效率往往是极高的，可以视为100%！

    亮度上液晶背光源对mini/micro-led技术的要求极高，但是另一个方面“LED晶体密度上”却又截然不同：LED大屏，或者VR用的mini/micro-led显示屏，都至少需要向2K画质提升PPI像素密度，达到数百万颗灯珠。但是，背光源系统，即便支持10000的HDR分区，也只需要数万颗灯珠而已。

    除此之外，对于VR显示的mini/micro-led应用，往往要在2-5英寸尺度上实现2K分辨率、LED大屏显示则可能是200英寸需要4K分辨率——二者的像素密度和工艺精度也完全不一样！

    由这些分析可以看到，mini/micro-led面临的是众多完全差异化的应用领域，这就决定了“完全一种工艺技术”基本不能满足如此漫长和差异化产品线的需求。事实上，国星光电不是没有开发巨量转移技术，比如其推出的nStar系列产品，就是标准的巨量转移透明显示产品。而IMD技术，则主要针对100+英寸高清、超过高清LED大屏显示系统：为差异化的终端和应用需求，提供“最优化”的技术选择。

    第二，mini/micro-led显示面临“双重精细度，并不重叠”的技术问题。即，一方面LED晶体颗粒在mini/micro-led显示时代，进入3-200微米时代，带来了巨量转移等应用于超精细LED颗粒封装过程的工艺进步。另一方面，作为显示终端，像素颗粒的精细度需求从10微米到毫米、乃至数毫米级别不等，这又涉及到另一层的“精细度实现工艺”。

    特别是对于100+英寸的LED显示屏产品，即便实现8K分辨率，最低的像素间距也高到220微米。这与LED晶体，在发光效率不断提升下，实现同等画质亮度所需要的LED颗粒尺寸越来越小的趋势形成了“精细度差异”。

    传统巨量转移技术的思路是，一次性实现大量LED晶体颗粒的转移和对位，满足mini/micro-led尺度的超微LED晶体颗粒“工艺精细度”和终端产品的像素尺度“工艺精细度”：这就会出现，P1.0间距LED大屏，像素间距是1000微米、LED颗粒尺度是50微米的“工艺精细度差值”。后者对于一次性巨量LED晶体颗粒的“板上漂移和对齐”造成巨大挑战（反而是像素间距更小，例如只有100微米时，50微米LED晶体颗粒更容易实现巨量转移操作）。

    因此，国星光电提出了IMD技术体系，主要针对大尺寸小间距LED应用产品市场，用一定规模的集成封装+传统表贴工艺，分层技术路线，实现“技术工艺难度”的折中路线选择：“能够在全球实现更快速的终端产品导入，本身就说明这一IMD技术面对小间距LED显示大屏的极高适应性和路线科学性！”行业专家如此表示。

    综上所述，IMD技术不是用来挑战巨量转移技术的发明，反而是用来补充在小间距LED大屏上，巨量转移技术天生不足之处的选择。二者不是竞争关系，也不会发展成对抗关系：更多的是国星光电同时在发展巨量转移和IMD技术，巨量转移技术的进步更在为IMD工艺的前进提供更多的支撑力。这种差异化的路线选择，本质是mini/micro-led技术在不同应用终端上的差异性的体现。

    从四合一到十二合一，从P0.9到P0.5，三年来国星光电IMD技术不断进步，突破极限，为mini/micro-led显示的成功量产商用做出了基础性、前瞻性的支撑！”可以相信IMD技术将是一个长期的，面向100+英寸级别，乃至更大尺寸小间距LED显示应用的技术路线；将是mini/micro-led显示快速工程化、商用化的有力武器，并在技术不断进步和优化下，持续开拓LED显示大屏的新境界。