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CEA-Leti开发用于高性能micro-LED显示器生产的CMOS工艺

来源:投影时代 更新日期:2019-05-15 作者:佚名

    法国原子能委员会电子与信息技术实验室(CEA-Leti)的研究人员开发出一种新工艺来生产高性能氮化镓(GaN)micro-LED显示器,研究人员称这种显示器比现有方法更简单,更有效。

CEA-Leti开发用于高性能micro-LED显示器生产的CMOS工艺

    新工艺的第一步是将micro-LED芯片直接转移到CMOS晶圆的顶部。第二步,由CMOS驱动电路和micro-LED芯片制成的每个完整的“像素”被传送到显示基板。

    研究人员表示,这项新技术可用于制造各类micro-LED显示器,从小型可穿戴显示器到大型电视面板,因为CMOS驱动器具有高性能。单个LED-CMOS单元采用全半导体晶圆级方法制备,终端显示器不需要使用薄膜晶体管(TFT),这是当前工艺的另一个优势。

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