6月4日,由壹倍科技自主研发的衬底/外延缺陷检测设备α-INSPEC U1000正式交付光电行业头部客户。此次交付意义重大,不仅是壹倍在化合物半导体前道检测领域的重要拓展,更是为行业客户提供全链条检测解决方案(覆盖衬底-外延-COW晶圆制造-COC巨量转移-Panel模组)的又一成功案例。
1. 解决产业痛点,全面助力客户量产升级
在MicroLED的生产制造流程中,衬底和外延是晶圆图案化的前序工艺,属于无图形场景,其缺陷检测的重要性和技术难度容易被忽视。传统LED芯片厂中通常采用人工目检或显微镜抽检,部分虽引入AOI检测,但精度有限,仅能检出表面较明显的脏污、大颗粒等缺陷。 随着MicroLED产业迈入量产,业界对于晶圆良率和成本的要求越来越高。而大量的LED芯粒后道失效问题往往来源于最初的衬底表面缺陷或外延层生长不良。特别是随着芯粒尺寸越来越小,甚至降至10μm以下(如AR微显示应用),其对于外延层缺陷的敏感度越来越高,且存在多种类型的亚表面晶体缺陷,这些缺陷采用传统检测手段无法检出。 在此行业背景下,产业亟需更有效的检测手段,从而识别出全部的致命缺陷。壹倍深知,只有结合高精度明场、暗场及光致发光等多种光学检测手段,并借助更高效的图像算法才能攻克这一难题。通过提高衬底/外延段缺陷的检测能力,从而揭示材料生长阶段关键缺陷的分布情况,再结合后道工艺数据,构建起一套更为系统、完备的器件失效传递机制。
2. 技术突破、优势明显、定义行业新标准
壹倍科技此次出机的设备α-INSPEC U1000可广泛应用于化合物半导体衬底及外延片的表面和晶体缺陷检测。该设备采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像及宽光谱PL成像技术,实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出,提供不同维度检测的缺陷Mapping、外延与器件叠图Mapping与分区分bin良率统计结果。该产品具有以下显著优势:
1)多通道并行扫描,可更全面诊断晶圆缺陷:
自主研发核心光机,具备高精度、高灵敏度、高通量的检测能力
有多家海外设备数据对标基础
2) 兼容RGB不同材料体系检测:
支持不同发光波长材料GaAs、InGaN等化合物半导体材料的亚表面晶体缺陷检测
3) 从衬底到外延到器件,支持叠图和数据合档,提供更清晰的良率管理路径:
按照芯片进行良率分区统计,更直接反映对下游芯片影响
支持自定义超3000万个分区
应用于微显示场景的2*2mm 分区统计,
4inch晶圆~1000颗
应用于直显场景的50*50 um MicroLED分区统计,
4inch晶圆~300w颗
3. 国产替代,迈向全球市场
过去几年,壹倍科技陆续推出用于MicroLED行业的PL设备M1070p和AOI设备M107XA,基本覆盖了COW晶圆制造、COC巨量转移等关键环节。然而,国内针对MicroLED衬底/外延的高端缺陷检测设备依然空白,目前国际上仅有少数厂商如美国科磊等具有相应产品,但仍缺乏专用于MicroLED场景的系统架构优化和大量实践数据积累。本次交付的U1000向更上游的衬底/外延环节进行了延伸,代表着壹倍科技已经实现MicroLED前道全流程良率管控,为行业快速发展提供有效且完整的产品方案。
在核心技术研发方面,壹倍科技建立了完整的自主创新体系,核心专利技术覆盖了设备的光学系统、图像处理算法、软件架构等关键环节,目前整体自主化率已达到 90%以上。自成立以来,壹倍科技持续积极探索“技术共研+生态共建”的创新模式,凭借着在检测设备领域的显著优势,已与40多家客户完成打样工作,业务触角延伸至海内外120多家客户,基本触达了该领域所有的头部厂商,包含LED芯片厂、巨量转移厂、面板厂、AR微显示模块制造厂等,成功实现了与产业链的深度融合,为行业不断带来新的技术和产品。