兆驰半导体：3项Micro LED专利进入授权阶段

    在Micro LED技术蓬勃发展的当下，企业的技术创新与专利突破显得尤为关键。作为该领域的重要参与者，兆驰半导体近期在专利成果上取得了显著进展，其3项Micro LED专利顺利进入授权阶段，这不仅是兆驰半导体研发实力的有力彰显，也为Micro LED行业的技术革新注入了新的活力。

    4月1日，“Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片”相关专利进入有效授权阶段

    本发明涉及光电技术领域，公开了一种Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片，所述Micro LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；第一多量子阱层包括至少一组依次层叠的第一InGaN量子阱层、第一AlGaN/GaN超晶格层和第一GaN量子垒层，第二多量子阱层包括至少一组依次层叠的第二InGaN量子阱层、第二AlGaN/GaN超晶格层和第二GaN量子垒层，第三多量子阱层包括至少一组依次层叠的第三InGaN量子阱层、空穴注入层和第三GaN量子垒层。

    本发明提供的Micro LED外延片能够提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效。

    3月18日，“Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”、“高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED”专利均进入有效授权阶段；两大发明均可提升发光效率。

    Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下：Micro‑LED外延片依次包括衬底、N型GaN层、第一多量子阱层和P型GaN层，第一多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和第一量子垒层；量子阱层包括依次层叠的第一GaN层、第一InGaN层、InxGa1‑xN层和AlN层；第一量子垒层包括依次层叠的第一AlGaN层、N型AlαGa1‑αN层、非掺杂AlaGa1‑aN层、N型AlβGa1‑βN层和第二GaN层；第一InGaN层中In组分占比呈递增变化，且其最大值≤x；第一AlGaN层中Al组分呈递减变化，且其最小值≥α。

    高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED专利详情如下：Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层；空穴扩展层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层；空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层；空穴层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层；P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。