兆驰、南极光、辰显光电等10企公布MicroLED新专利，涉及外延结构、芯片、面板、显示装置等

    近日，Micro-LED 显示领域迎来一轮专利密集落地，南极光、兆驰半导体、镭昱光电、微玖光电、赛富乐斯、希达电子、辰显光电、鸿石光电、立琻半导体、磐芯半导体等 10 家企业共 15 项专利相继取得发明专利证书、获得发明授权或进入发明公布。

    专利主要涉及Micro-LED显示面板制备、外延结构、发光阵列、显示芯片制备、AlGaInP器件设计方法、混合调制驱动方法、三维交错堆叠式显示结构、显示器制备方法、像素结构及显示装置、驱动电路与方法等。

    主要致力于解决亮度不均一，提高散热性能、发光效率、亮度、可靠性，简化电路与制备工艺，降低生产成本，实现高灰阶精细控制等。

    南极光：“Micro-LED 显示面板及其制备方法”取得发明专利证书

    近日，深圳市南极光电子科技股份有限公司（以下简称“公司”）取得了一项由国家知识产权局颁发的发明专利证书，专利号为ZL 202211656501.6，专利权期限为二十年，自申请之日（2022 年12 月22 日）起算。

    本发明涉及一种 Micro-LED 显示面板及其制备方法，基板的第一通孔内填充有绝缘导热体，基板上设置有焊盘，基板上覆盖有第一绝缘导热层，以使焊盘背离基板的一侧外露；电极层叠于第一绝缘导热层和焊盘上，电极贯穿设有与第一绝缘导热层相对的第二通孔，第二通孔填充有导热体；电极上设有多个间隔的发光层，相邻两个发光层之间均填充有第二绝缘导热层，第二绝缘导热层与第二通孔相对，第二绝缘导热层面向发光层的侧面均不透光；位于蓝色LED像素单元和红色 LED 像素单元/绿色 LED 像素单元之间的第二绝缘导热层在纵向剖面上为直角梯形，位于绿色 LED 像素单元和红色 LED 像素单元之间的第二绝缘导热层在纵向剖面上为矩形。本发明具有提高芯片的散热性能的效果。

    兆驰：两项专利获发明授权

    江西兆驰半导体有限公司申请的“一种高速Micro-LED外延结构及制备方法、芯片”和“原位有源驱动Micro-LED发光阵列及其制备方法”两项专利近日获得发明授权。

    1.“一种高速Micro-LED外延结构及制备方法、芯片”【授权公告号：CN122421515B】

    本发明公开了一种高速Micro‑LED外延结构及制备方法、芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、成核缓冲层、n‑GaN层、有源层、AlGaN电子阻挡层以及p‑GaN层；有源层包括由下至上依次叠设的n侧GaN垒层、InGaN量子阱层、p侧GaN垒层，n侧GaN垒层的Zn掺杂浓度大于p侧GaN垒层的Zn掺杂浓度；n侧GaN垒层与InGaN量子阱层的界面处设置有n侧δ‑Zn捕获层，p侧GaN垒层与InGaN量子阱层的界面处设置有p侧δ‑Zn捕获层，且p侧δ‑Zn捕获层的峰值浓度小于n侧δ‑Zn捕获层的峰值浓度。本发明在保持较高发光效率的前提下，实现了载流子寿命的亚纳秒级精准调控，显著突破了Micro‑LED在高速光通信领域的带宽瓶颈。

    2.原位有源驱动Micro-LED发光阵列及其制备方法【授权公告号：CN117038697B】

    本发明公开了一种原位有源驱动Micro‑LED发光阵列及其制备方法，其在GaN外延片上同时制备Micro‑LED芯片和场效应晶体管，大幅简化了有源驱动的Micro‑LED的制备流程，降低成本。本发明通过有源驱动的方式解决Micro‑LED芯片由于自身性能差异导致的亮度不均一的问题；亦可通过改变场效应晶体管多量子阱层的面积和栅极电压的幅值，来实现对Micro‑LED的独立开关功能。

    镭昱光电：Micro-LED显示芯片及其制备方法

    镭昱光电科技（苏州）有限公司申请的“Micro-LED显示芯片及其制备方法”专利获发明授权，授权公告号CN121442872B，发明人为漆龙恒、庄永漳。

    本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法。Micro‑LED显示芯片包括基板、多个LED发光单元、平坦化层和导电反射墙。LED发光单元包括第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层，至少第一掺杂型半导体层和有源层被加工形成为LED台面。相邻的LED台面之间形成沟道。平坦化层位于LED发光单元与基板之间，平坦化层与基板键合连接。平坦化层填充于沟道并包覆LED台面。平坦化层具有与沟道对应的凹槽。导电反射墙设置于凹槽中且围绕LED台面。本申请可以提高LED发光单元在主发光角上的发光效率以及亮度，进而提升Micro‑LED显示芯片的发光效率和亮度。

    微玖光电：三项发明专利实质审查生效并获发明授权

    2026年9月18日，微玖（苏州）光电科技有限公司三项发明专利同日获得发明授权，分别是：一种基于人工智能的AlGaInP基红光Micro-LED器件设计方法及系统、一种具有高Al组分极化诱导势垒层的AlGaInP红光Micro-LED芯片及制备方法、一种锑基抑氧AlGaInP红光Micro-LED芯片及其制备方法。

    1.一种基于人工智能的AlGaInP基红光Micro-LED器件设计方法及系统，授权公告号：CN122287401B

    本申请公开了一种基于人工智能的AlGaInP基红光Micro‑LED器件设计方法及系统，针对现有红光LED研发周期长、成本高、多参数协同优化难、10μm以下芯片尺寸效应导致外量子效率骤降的核心痛点，通过构建外延生长‑芯片工艺‑性能测试全链条对应数据集，搭建多分支融合深度神经网络，训练得到可精准映射器件参数与芯片性能的正向预测代理模型，结合多目标优化算法完成高维参数空间全局寻优，逆向生成最优器件参数集，并通过实验数据回流实现模型闭环迭代优化。

    本发明将研发周期大幅度缩短，研发成本降低，提升小尺寸红光Micro‑LED的发光效率与可靠性，适用于AR/VR、车载显示等领域，具备重要产业化应用价值。

    2.一种具有高Al组分极化诱导势垒层的AlGaInP红光Micro-LED芯片及制备方法【授权公告号：CN122294659B】

    本申请公开了一种具有高Al组分极化诱导势垒层的AlGaInP红光Micro‑LED芯片及制备方法，核心创新在于量子阱结构的势垒层采用Al组分由(Alx2Ga1‑x2)y2InP连续渐变至Al0.5In0.5P的高Al组分结构，将价带带阶提升至250~320meV，显著增强载流子限制能力；同时势垒层采用低浓度p型掺杂，借助Al组分渐变的极化效应诱导形成三维空穴气，使空穴浓度突破掺杂限制，避免了高掺杂带来的发光淬灭问题。

    本发明解决现有红光Micro‑LED芯片载流子限制不足、空穴注入效率低、高温稳定性差的核心难题，器件外量子效率、高温保持率、长期可靠性均大幅提升，制备工艺兼容现有量产线，适用多个领域。

    3.一种锑基抑氧AlGaInP红光Micro-LED芯片及其制备方法【授权公告号：CN122318412B】

    本申请公开了一种锑基抑氧AlGaInP红光Micro‑LED芯片及其制备方法，芯片外延片包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型AlGaInP限制层、量子阱结构、p型AlGaInP间隔层、p型AlInP电子阻挡层及p型GaP欧姆接触层；其中高铝组分的n型AlGaInP限制层、量子垒层、p型AlGaInP间隔层、p型AlInP电子阻挡层中均掺入锑原子；利用锑原子优先占据铝表面活性位点，阻断氧原子吸附路径，将外延层氧杂质并入率降低50%以上，显著抑制铝氧深能级缺陷形成与侧壁漏电，提升器件内量子效率与可靠性，同时简化制备工艺，降低生产成本。

    赛富乐斯：基于复合胶带临时键合的Micro-LED激光剥离方法

    西安赛富乐斯半导体科技有限公司申请的该专利9月22日已获发明授权，授权公告号为CN120358851B，发明人为姜坤、宋杰、罗官、杜政。

    本发明公开的基于复合胶带临时键合的Micro‑LED激光剥离方法，包括将复合胶带平整粘贴于载体晶圆上；在器件晶圆表面涂敷保护性胶水进行粗化；将表面粗化后的器件晶圆与载体晶圆的复合胶带层进行贴合；将复合胶带层通过UV光进行曝光彻底固化；将固化后的器件晶圆‑复合胶带‑载体晶圆进行激光剥离。

    本发明通过将器件晶圆表面涂敷掺杂胶层进行表面形貌粗化，提高了嵌入复合胶带的深度，从而增加了复合胶带彻底固化后的摩擦力与附着力，解决了剥离失效、溶液清洗脱落等问题，提高了剥离良率。

    赛富乐斯：三维交错堆叠式Micro-LED显示结构及制备方法

    该专利近日发明公布。申请公布号：CN122679777A；发明人：雷声辉、陈辰、宋杰。

    本发明公开的三维交错堆叠式Micro‑LED显示结构及制备方法，包括CMOS背板及其上沿水平方向分布的若干完整RGB像素单元，每个完整RGB像素单元均包括交错堆叠于不同高度层的红绿蓝子像素层，各子像素层均包括通过键合金属与背板阳极连接的应力释放层，应力释放层中形成应力释放图案。

    本发明通过在各颜色子像素层中设置应力释放层并预先在外延晶圆上形成多级应力释放图案，使多层键合与衬底去除过程中的热应力和机械应力得到有效释放和重新分配，从而降低键合界面剥离、裂纹扩展和像素偏移风险；同时各子像素层采用不同高度层的交错堆叠结构，可缓解传统二维离散RGB排布在高空间频率条件下引起的MTF下降问题。

    希达电子：一种Micro-LED混合调制驱动方法及装置发明公布

    长春希达电子技术有限公司申请的“一种Micro-LED混合调制驱动方法及装置”近日发明公布，申请公布号为CN122715579A，发明人为陈煜丰、郑喜凤、汪洋、曹慧、毛新越。

    本发明属于Micro‑LED显示灰阶调制技术领域，特别涉及一种Micro‑LED混合调制驱动方法及装置，一种Micro‑LED混合调制驱动方法，包括：S1.对外部视频流执行实时灰阶区间判定与分段路由，对于低灰阶区域，进行PAM调制模式；对于中灰阶区域，进行PWM调制模式；对于高灰阶区域，进行扩展PAM调制模式；S2.调用双通道联合查找表，双通道联合查找表以初始数字灰阶值作为索引，以调制脉宽和驱动电流为输出；S3.将输出脉宽和电流输入Micro‑LED驱动芯片，以驱动对应显示输出。

    本发明基于Micro‑LED芯片光电特性，设计高性能混合调制手段，实现Micro‑LED高灰阶精细控制。

    辰显光电：Micro-LED驱动电路、驱动方法及显示装置

    成都辰显光电有限公司申请的该专利9月22日发明公布，申请公布号：CN122803107A；发明人：朱开放。

    本申请涉及一种Micro‑LED驱动电路、驱动方法及显示装置。Micro‑LED驱动电路包括：时序控制模块；分压模块，分压模块的第一端与第一电源模块的反馈端电连接，第二端接地，第三端与第二电源模块的第二输出端电连接，第四端与Micro‑LED的驱动端电连接；第一电源模块，包括第一输出端和反馈端，第一输出端与驱动端电连接，用于根据反馈端的电压调节第一输出端的电压；第二电源模块，包括信号接收端和第二输出端，信号接收端与时序控制模块电连接，用于根据时序控制模块输出的控制指令调节第二输出端的电压，以使驱动端和反馈端的电压相应改变。本申请提供的Micro‑LED驱动电路能够通过第一电源模块输出大电流的同时通过第二电源模块实现电压切换。

    辰显光电：一种Micro-LED显示器及Micro-LED显示器制备方法

    该专利近日发明公布。申请公布号为CN122662389A；发明人为王鹏、曹轩。

    本发明公开了一种Micro‑LED显示器及Micro‑LED显示器制备方法，涉及LED显示器生产；显示器包括：驱动基板，所述驱动基板阵列设置有多个焊盘，各所述焊盘均覆盖有可磁吸焊材；LED单体，所述LED单体的外延面覆盖有磁性材料；其中，各所述LED单体通过对应的所述可磁吸焊材与所述驱动基板焊接，能够使得LED与焊接基板上的焊料紧密贴合，以避免出现LED与焊料未接触而焊接不上的情况，进而提高产品良率。

    制备方法包括以下步骤：分别在驱动基板的各焊盘上布设可磁吸焊材、在LED单体的外延面上布设磁性材料；将各所述LED单体与所述驱动基板进行对位；对位完成后，在外部磁场的作用下，将各所述LED单体焊接在所述驱动基板上，以避免出现LED与焊料未接触而焊接不上的情况。

    鸿石光电：一种Micro-LED显示芯片以及其制备方法

    浙江鸿石光电科技有限公司申请的该专利9月22日发明公布。申请公布号为CN122803484A；发明人为郭永亮、王世栋、龚金国、陶金、毛志伟。

    本发明公开了一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法，Micro‑LED显示芯片包括：驱动基板和设置于驱动基板的一侧表面的第一键合结构；多个发光单元，包括相互背离的出光面和底面，相邻发光单元之间填充有钝化结构，发光单元的底面设置有第二键合结构；第二键合结构位于第一键合结构背离驱动基板的一侧；多个散热结构设置于第一键合结构或钝化结构中；色转换结构位于至少部分发光单元的出光面一侧。

    本发明实现了对各发光单元出射光线的独立调控，实现了全彩显示，同时提供了热量导出路径，避免了色转换结构因高温导致的热淬灭及器件可靠性下降的问题。

    立琻半导体：Micro-LED像素结构及显示装置

    苏州立琻半导体有限公司“Micro-LED像素结构及显示装置”发明公布。申请公布号为CN122766142A；发明人为梁舰、王良吉、许奇明、沈雁伟。

    本发明公开了一种Micro‑LED像素结构以及显示装置，Micro‑LED像素结构包括输出不同颜色的多个子像素。Micro‑LED像素结构包括发光芯片层，阻光衬底以及光转换层。发光芯片层具有一出光面，发光芯片层包括发光芯片；阻光衬底位于发光芯片层的出光面，阻光衬底上贯穿设置有与发光芯片对应的第一通孔。第一通孔的至少部分内表面呈现出在周向上排布的齿状几何特征。光转换层设置于阻光衬底的第一通孔内。或者，第一通孔包括在深度方向上分布的第一孔段和第二孔段，第二孔段位于第一孔段和发光芯片层之间，第一孔段的内径大于第二孔段的内径；光转换层设置于第二孔段内且延伸至第一孔段内。本发明的Micro‑LED像素结构及显示装置，其能够同时实现高强度和大出光面积。

    磐芯半导体：硅基Micro-LED驱动电路、驱动方法及显示装置

    上海磐芯半导体科技有限公司“硅基Micro-LED驱动电路、驱动方法及显示装置”发明公布。申请公布号为CN122781216A；发明人为孟祥浩、徐瀚洋。

    本公开涉及显示驱动技术领域，公开了一种硅基Micro‑LED驱动电路、驱动方法及显示装置。驱动电路包括像素阵列、发送移位存储器、共用的第一计数器、行移位寄存器、数字比较器和移位选通寄存器；各像素点的像素驱动电路包括电流晶体管、开关晶体管和D触发器。行移位寄存器在时钟信号触发下逐行循环输出行选通信号，数字比较器将所选通行中对应列像素点的亮度数据与第一计数器的当前计数值比较，比较结果经移位选通寄存器写入对应像素点的D触发器并保持，以控制开关晶体管的通断。由此以数字方式生成PWM驱动信号，全部像素点无需分时点亮，避免了大电流冲击和像素间串扰，提高了光电转换效率，且电路结构简单。

    以下是新专利汇总表：

    后记：这批专利显示出国内 Micro-LED 产业正围绕红光效率、驱动架构与制造良率等关键痛点加速构筑自主专利布局，产业化落地节奏明显加快。