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以GaN-on-GaN打SiC!这家公司拟收购世界500强企业的GaN衬底业务

来源:化合物半导体市场 更新日期:2022-01-29 作者:佚名

    据外媒报道,韩国GaN外延材料开发商IVWorks收购了法国材料专业生产商圣戈班集团(Saint-Gobain)的GaN衬底业务,计划在高功率应用领域供应GaN-on-GaN外延片,对打SiC材料,抢攻电动汽车市场。

    资料显示,IVWorks成立于2011年,总部位于韩国大田市,主要生产应用于射频及功率电子市场的GaN-on-Si/SiC外延片。

    IVWorks自称是韩国唯 一一家成功量产4/6/8英寸GaN外延片的半导体材料专业厂商,并自主开发了全球首款结合人工智能生产系统的外延生产技术。不仅如此,该公司最近还在韩国首次安装了12英寸生产设备。

    据化合物半导体市场了解,IVWorks主要采用混合式MBE技术(Hybrid-MBE)生产高质量GaN外延片。2020年8月,IVWorks与全球MBE(分子束磊晶技术)巨头英特磊IET-KY达成合作,共同开发基于MBE技术的GaN外延片,瞄准全球射频和电力器件市场。

    Saint-Gobain成立于1665年,总部位于法国巴黎,是世界500强企业之一,主营业务是设计、生产及分销材料,服务于建筑、汽车、工业、航空、健康、防御、安全及饮食等诸多市场。

    IVWorks的CEO Young-Kyun Noh表示,GaN功率器件在能效方面的优势明显,在各种电子产品中发挥着越来越来重要的作用,其中,电动汽车应用市场作为新兴应用领域,已发现GaN材料的应用潜力,并开始高度关注。

    IVWorks进一步指出,GaN外延片主要用于生产快速充电器、电动车功率转换器、国防雷达等的功率器件,其通常在硅或SiC衬底上生长,而垂直结构GaN器件在电动车动力系统等高功率器件中有着很大的需求。

    IVWorks认为,法国Saint-Gobain及住友和三菱等日本企业正在引领GaN衬底技术发展,通过收购Saint-Gobain的GaN衬底业务,IVWorks将掌握4/6英寸GaN衬底量产技术。

    同时,公司将扩大产品组合,向高功率应用领域供应GaN-on-GaN外延片,并在电动汽车市场迎战SiC材料。

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